ASC800N1700HPDL三相全桥碳化硅模块1700V、封装长端子

08/06 16:30 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC800N1700HPDL三相全桥碳化硅模块1700V、封装长端子

1.04 MB

HPD 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 最高工作结温175℃；

2. 寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 参数：? ?VDS：1700V? ? ?ID：800A? ? RDS(on)?：3.3mΩ

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