MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6VP61K25N，MRFE6VP61K25GN 宽带射频功率LDMOS晶体管数据手册

射频功率LDMOS 晶体管高韧性N沟道增强型横向MOSFET?这些高韧性器件设计用于高驻波比的工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用。其无与伦比的输入和输出设计允许从1.8到600 MHz的广泛频率范围使用。

特点

无与伦比的输入和输出，可实现广泛频率范围的利用
设备可单端使用或采用推挽配置
最大50 VDD操作的合格化
在30到50 V范围内进行特性化，以扩展功率范围
适用于具有适当偏置的线性应用
集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，以改善C类操作
使用系列等效大信号阻抗参数进行特性化
推荐驱动器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推荐器件

更多器件

器件型号	数量	器件厂商	器件描述	数据手册	ECAD模型	风险等级	参考价格	更多信息
DT06-3S-EP10	1	TE Connectivity	DT PLUG ASM		ECAD模型下载ECAD模型		$8.96	查看
CL21A106KPFNNNE	1	Samsung Electro-Mechanics	Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 10uF, 10V, ±10%, X5R, 0805 (2012 mm), 0.049"T, -55? ~ +85?C, 7" Reel				$0.11	查看
M22520/2-01	1	Defense Logistics Agency	Connector Accessory, Crimp Tool				$608.88	查看

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恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

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